Зеленоградский МИЭТ разработает силовые микросхемы для высокочастотных СВЧ
19.01.2023

Зеленоградский МИЭТ разработает силовые микросхемы для высокочастотных СВЧ

В пресс-службе университета сообщили, что в лаборатории начнут разрабатывать новые силовые микросхемы, применяемые в силовых транзисторах.

В масштабах страны речь идет о высоковольтных СВЧ, в которых применяется силовая электроника на основе нитрида галлия. Партнер МИЭТа АО «ЗНТЦ» заинтересован в топологии интегральной микросхемы «Силовой модуль для высоковольтных схем преобразования мощности», и благодаря им планируется разработать силовые транзисторы на пробивное напряжение порядка 650 В, с максимальным током до 40 А. Проект осуществляется на базе научно-образовательного центра МИЭТ «Зондовая микроскопия и нанотехнология».

  Версия для печати

Популярное в социальных сетях:


В контакте