60 ЛЕТ СО ДНЯ ОСНОВАНИЯ НИИМЭ
Научно-исследовательский институт молекулярной электроники был основан 9 марта 1964 года приказом Государственного комитета по электронной технике СССР для разработки и опытного производства монолитных интегральных схем.Под началом своего первого руководителя академика АН СССР Камиля Ахметовича Валиева институт получил уникальный статус и дальнейшее развитие как передовая отечественная научная школа в области разработки базовых технологических процессов и изделий микроэлектроники. С первых дней своей работы НИИМЭ выполнял головную роль по созданию нового поколения технологического, испытательного, измерительного оборудования и материалов, организуя кооперацию ведущих предприятий страны.
В НИИМЭ был разработан первый базовый планарно-эпитаксиальный технологический процесс и начат выпуск логических и линейных микросхем, разработана планарная технология арсенид-галлиевых микросхем, внедрены плазмохимические процессы в технологии изготовления интегральных схем, изготовлены первые отечественные цифровые и аналоговые микросхемы массового применения, микропроцессорные БИС ТТЛ с диодами Шоттки, создана первая в стране мощная САПР БИС. Созданные в НИИМЭ технологические комплексы изготовления сверхскоростных транзисторов и твердотельных приборов микроэлектроники, а также интегральных схем на их основе, были выполнены на уровне мировых достижений, что позволяло обеспечивать высокий авторитет отечественных научных исследований.
Практически вся разработанная в НИИМЭ номенклатура производилась на опытном заводе «Микрон», организованном при институте в 1967 году приказом Министра электронной промышленности СССР. На разработанных институтом микросхемах строилась важнейшая для страны аппаратура: ЕС ЭВМ, «Эльбрус», «Ряд» и «Булат», предназначенные для решения стратегических проблем народного хозяйства СССР и стран СЭВ, обороны страны. Были разработаны комплекты микросхем для бортовых систем управления спутников и межпланетных космических аппаратов, ракетно-комического комплекса «Энергия-Буран», авиационной и корабельной аппаратуры, радиолокационных систем, промышленной и бытовой аппаратуры. За разработку элементной базы для Единой системы электронных вычислительных машин (ЕС ЭВМ) институт в 1983 году был отмечен государственной наградой - орденом Трудового Красного Знамени.
В 2000-е годы в НИИМЭ были созданы и развиты научные основы промышленной технологии производства сверхбольших интегральных схем с субмикронными размерами, построена и обоснована комплексная многоуровневая система, включающая в себя технологические процессы, оборудование, методы и средства моделирования проектирования, диагностики, контроля и условия производства конкурентоспособных отечественных изделий. Был обеспечен выход на новые технологические уровни в разработке, производстве и измерении элементной базы топологического уровня 180-90-65 нм. Разработанные НИИМЭ микросхемы обеспечивают надежное хранение персональных данных, информационную безопасность граждан и технологическую независимость государства.
В 2011 году НИИМЭ был разработан первый кристалл для транспортных приложений, модификация которого используется сегодня во всех проездных билетах транспортной сети Москвы и других регионов России.
В 2012 году в связи с переходом в России на электронные паспортно-визовые документы НИИМЭ был разработан микроконтроллер для государственных удостоверений личности, который сейчас используется во всех российских загранпаспортах.
В 2015 году в НИИМЭ был разработан уникальный банковский чип для Национальной Системы Платежных Карт «МИР», который сегодня является основой безопасного функционирования национальной платежной системы.
В 2016 году Распоряжением Правительства РФ НИИ молекулярной электроники был определен организацией, ответственной за реализацию приоритетного технологического направления «Электронные технологии» РФ. В этом статусе НИИМЭ осуществляет координацию деятельности научных и производственных учреждений микроэлектронной отрасли РФ по разработке и применению отечественной элементной базы в электронных изделиях российского производства.
Институт всегда отличался и гордится своим уникальным кадровым и научно-образовательным потенциалом. В разное время в институте работали академики Академии наук СССР и Российской академии наук К.А. Валиев, Ю.В. Копаев, Г.Я. Красников, А.Л. Стемпковский, члены-корреспонденты Б.В. Баталов, Е.С. Горнев, Б.Г. Грибов, В.Г. Мокеров. За выдающиеся научные разработки в области проектирования и создания цифровых интегральных схем широкого применения десятки сотрудников института неоднократно становились лауреатами Государственных и премий СССР и России, премий Совета министров СССР и Правительства РФ, премий Ленинского комсомола, получали поощрения и благодарности от профильных министерств и ведомств за разработку и освоение в производстве новых изделий электронной техники.
Сегодня НИИМЭ решает актуальные задачи современной и перспективной нано- и микроэлектроники. В сложных условиях коллектив института продолжает развивать научные школы, проводя исследования и опытно-конструкторские работы по федеральным программам, совершенствуя технологии и разрабатывая новые изделия мирового уровня. Ведет разработки в области новых технологических процессов и физики полупроводников, формирует научную и технологическую базу нового этапа развития приборов микроэлектроники в планарном и 3D исполнении с интеграцией цифровых и СВЧ компонентов, сверхбыстродействующих приборов радиофотоники, изделий многофункциональной электроники, базирующихся на новых сочетаниях физических эффектов, в том числе квантовых, разрабатывает процессоры и микроконтроллеры.
Новым направлением исследований стало изучение нейроморфных систем, максимально приближающих принцип действия нейронных сетей, лежащих в основе искусственного интеллекта, к принципам действия живого мозга. Работы сфокусированы на применении методов машинного обучения для решения прикладных задач, а также разработке нейропроцессоров для обработки нейросетей. Развитие мемристивных элементов в качестве элементной базы для реализации нейроморфных вычислений будет способствовать созданию и внедрению энергоэффективной памяти и процессоров нового поколения для высокоскоростных нейроморфных вычислений.
Версия для печати
